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  • G670.3高溫環(huán)境XRD

    Guinier G670.3高溫環(huán)境XRD運(yùn)用成像板技術(shù)，通過(guò)成熟的工藝技術(shù)，配合溫度調(diào)節(jié)配件，可對(duì)高至1772℃的粉末樣品進(jìn)行X射線衍射測(cè)量。

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    更新日期：2024-09-23
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